于內(nèi)存模塊（Memory DIMM module）可靠度驗證這篇文章中，我們提到近年來，對于數(shù)據(jù)處理越來越講求速度，且數(shù)據(jù)的體積也日漸增大，因此推升了內(nèi)存模塊的速度與容量成長，目前由JEDEC公布的DDR4內(nèi)存最高規(guī)范已經(jīng)來到DDR4-3200，而DDR4內(nèi)存模塊的單支容量也已進(jìn)化到256GB。

隨著內(nèi)存模塊（Memory DIMM module）的速度與容量的提升，其可靠性也越來越重要。若可靠性不足，輕則計算機(jī)當(dāng)機(jī)，重則數(shù)據(jù)錯誤或是數(shù)據(jù)損毀。

針對內(nèi)存模塊的可靠度驗證，除了檢測出功能性錯誤（Functional Error）及AC/DC參數(shù)（Parameter）錯誤以外，還必須找出內(nèi)存模塊使用于整機(jī)系統(tǒng)內(nèi)時所發(fā)生的故障。大多數(shù)發(fā)生于系統(tǒng)上的故障是由系統(tǒng)芯片（System Chipset）組與內(nèi)存模塊的時序兼容性所產(chǎn)生的問題。通常于整機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊故障會出現(xiàn)在系統(tǒng)開機(jī)的過程中，或是執(zhí)行比較繁重的運(yùn)算時。

尋找內(nèi)存模塊與系統(tǒng)之間的故障會需要耗費(fèi)大量的整機(jī)系統(tǒng)設(shè)備及人力需求，所以對于內(nèi)存模塊制造商來說，如何用有效且迅速方式找出內(nèi)存模塊的功能性錯誤（Functional Error）及AC/DC參數(shù)（Parameter）錯誤便會非常重要。

百家泰Allion Labs針對內(nèi)存模塊的功能性錯誤及AC/DC參數(shù)錯誤的驗證，備有來自知名內(nèi)存模塊測試廠商TurboCATS所生產(chǎn)的TURBOCATs TCIII-3200ST內(nèi)存模塊驗證平臺，可提供給內(nèi)存模塊制造商或是系統(tǒng)制造商一個可靠、精確且迅速的驗證環(huán)境。

TURBOCATs TCIII-3200ST所支持的DDR4內(nèi)存模塊規(guī)格請參考下表：

TURBOCATs TCIII-3200ST的主要測項目(Test Pattern)如下：

除了上述的測試項目，TURBOCATs TCIII-3200ST也可搭配專用的內(nèi)存模塊測試溫箱（Memory DIMM module Thermal Chamber），來驗證內(nèi)存模塊于各種不同溫度環(huán)境下的運(yùn)作狀態(tài)，并確保在不同的使用情境下(例如：筆電、桌面計算機(jī)、服務(wù)器、高溫環(huán)境、低溫環(huán)境)，仍然有穩(wěn)定的表現(xiàn)。