于內(nèi)存模塊（Memory DIMM module）可靠度驗(yàn)證這篇文章中，我們提到近年來(lái)，對(duì)于數(shù)據(jù)處理越來(lái)越講求速度，且數(shù)據(jù)的體積也日漸增大，因此推升了內(nèi)存模塊的速度與容量成長(zhǎng)，目前由JEDEC公布的DDR4內(nèi)存最高規(guī)范已經(jīng)來(lái)到DDR4-3200，而DDR4內(nèi)存模塊的單支容量也已進(jìn)化到256GB。

隨著內(nèi)存模塊（Memory DIMM module）的速度與容量的提升，其可靠性也越來(lái)越重要。若可靠性不足，輕則計(jì)算機(jī)當(dāng)機(jī)，重則數(shù)據(jù)錯(cuò)誤或是數(shù)據(jù)損毀。

針對(duì)內(nèi)存模塊的可靠度驗(yàn)證，除了檢測(cè)出功能性錯(cuò)誤（Functional Error）及AC/DC參數(shù)（Parameter）錯(cuò)誤以外，還必須找出內(nèi)存模塊使用于整機(jī)系統(tǒng)內(nèi)時(shí)所發(fā)生的故障。大多數(shù)發(fā)生于系統(tǒng)上的故障是由系統(tǒng)芯片（System Chipset）組與內(nèi)存模塊的時(shí)序兼容性所產(chǎn)生的問(wèn)題。通常于整機(jī)系統(tǒng)中的內(nèi)存模塊故障會(huì)出現(xiàn)在系統(tǒng)開(kāi)機(jī)的過(guò)程中，或是執(zhí)行比較繁重的運(yùn)算時(shí)。

尋找內(nèi)存模塊與系統(tǒng)之間的故障會(huì)需要耗費(fèi)大量的整機(jī)系統(tǒng)設(shè)備及人力需求，所以對(duì)于內(nèi)存模塊制造商來(lái)說(shuō)，如何用有效且迅速方式找出內(nèi)存模塊的功能性錯(cuò)誤（Functional Error）及AC/DC參數(shù)（Parameter）錯(cuò)誤便會(huì)非常重要。

百家泰Allion Labs針對(duì)內(nèi)存模塊的功能性錯(cuò)誤及AC/DC參數(shù)錯(cuò)誤的驗(yàn)證，備有來(lái)自知名內(nèi)存模塊測(cè)試廠商TurboCATS所生產(chǎn)的TURBOCATs TCIII-3200ST內(nèi)存模塊驗(yàn)證平臺(tái)，可提供給內(nèi)存模塊制造商或是系統(tǒng)制造商一個(gè)可靠、精確且迅速的驗(yàn)證環(huán)境。

TURBOCATs TCIII-3200ST所支持的DDR4內(nèi)存模塊規(guī)格請(qǐng)參考下表：

TURBOCATs TCIII-3200ST的主要測(cè)項(xiàng)目(Test Pattern)如下：

除了上述的測(cè)試項(xiàng)目，TURBOCATs TCIII-3200ST也可搭配專(zhuān)用的內(nèi)存模塊測(cè)試溫箱（Memory DIMM module Thermal Chamber），來(lái)驗(yàn)證內(nèi)存模塊于各種不同溫度環(huán)境下的運(yùn)作狀態(tài)，并確保在不同的使用情境下(例如：筆電、桌面計(jì)算機(jī)、服務(wù)器、高溫環(huán)境、低溫環(huán)境)，仍然有穩(wěn)定的表現(xiàn)。