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固態(tài)硬盤(SSD)已是目前儲(chǔ)存產(chǎn)品市場(chǎng)的主流新技術(shù),在今年臺(tái)北國(guó)際計(jì)算機(jī)展〈COMPUTEX TAIPEI 2017〉儲(chǔ)存產(chǎn)品專區(qū)中,我們可以發(fā)現(xiàn)自從2016年市場(chǎng)上使用3D NAND Flash技術(shù)搭配NVMe應(yīng)用的產(chǎn)品不斷增加后,SSD邁向了新紀(jì)元,將以更大的容量、更高的效能與更低的單位儲(chǔ)存成本逐漸取代著傳統(tǒng)硬盤〈HDD〉。深耕儲(chǔ)存產(chǎn)品測(cè)試領(lǐng)域多年、同時(shí)身為中華民國(guó)固態(tài)磁盤技術(shù)推廣協(xié)會(huì)(Solid State Drive Alliance,簡(jiǎn)稱SSDA)成員的百佳泰,將在本篇文章中探討最新3D NAND Flash的技術(shù)應(yīng)用與傳輸界面〈ex: SAS/SATA〉大量改采PCIe/NVMe后對(duì)SSD市場(chǎng)造成之影響。

3D NAND Flash PCIe/NVMe 的革命性突破

在SSD的內(nèi)部構(gòu)造中,閃存芯片顆粒是決定產(chǎn)品成本、使用壽命與讀寫速度的技術(shù)核心,共分為SLC、MLC、TLC三種類型。一般而言,SLC有著最快速的程序編程與讀取、使用壽命最長(zhǎng)〈可抹寫次數(shù)最多〉、價(jià)格最高〈單位成本儲(chǔ)存容量較低〉,主要用于一些高端的軍工規(guī)或企業(yè)級(jí)SSD;MLC的速度、壽命、價(jià)格適中,是目前中高階企業(yè)級(jí)SSD的主流應(yīng)用趨勢(shì);而低價(jià)SSD則普遍采用TLC顆粒,容量較高且價(jià)格相對(duì)低廉,但在性能、穩(wěn)定度與使用壽命上卻略顯不足。

在2016下半年度各大品牌開始采用可垂直堆棧數(shù)層儲(chǔ)存數(shù)據(jù)的3D NAND Flash技術(shù)使單位儲(chǔ)存成本大幅下降后,SSD便突破傳統(tǒng)平面式閃存的物理極限,擴(kuò)大了以往因顧及生產(chǎn)成本而受限的容量規(guī)格。舉例來說,威剛科技于COMPUTEX 2017中華民國(guó)固態(tài)磁盤技術(shù)推廣協(xié)會(huì)〈SSDA〉攤位所展出的「SU900」SSD,就是利用3D NAND Flash技術(shù)開發(fā)的產(chǎn)品,使其即便在使用MLC顆粒的狀況下,也可達(dá)到2TB的超大容量。

此外,3D NAND Flash制程技術(shù)也讓TLC SSD的可抹寫次數(shù)有所提升。在2D NAND Flash技術(shù)的時(shí)代,提升SSD的容量是要靠著微縮每個(gè)儲(chǔ)存單位,來增加儲(chǔ)存密度。然而微縮儲(chǔ)存單位的作法,卻也令SSD的可抹寫次數(shù)降低,造成容量較大的TLC SSD在耐用程度上,遠(yuǎn)遠(yuǎn)不及SLC/MLC SSD。但在3D NAND Flash改采垂直立體的堆棧方式來擴(kuò)增容量后,每一層儲(chǔ)存單位微縮程度不需太大,使TLC SSD能在保持低廉價(jià)格的同時(shí),也逐漸減少與MLC SSD在使用壽命上〈可抹寫次數(shù)〉的差距。

而NVMe的應(yīng)用更讓SSD突破了傳統(tǒng)SATA Gen3的最大帶寬限制,如SSD龍頭之一的東芝(TOSHIBA)于今年COMPUTEX在百佳泰攤位上首度曝光的「XG5」系列消費(fèi)級(jí)NVMe SSD,除了使用領(lǐng)先全球的64層3D堆棧技術(shù)使其在NAND  Flash芯片體積不變的情況下容量提升至1TB,更運(yùn)用PCIe Gen3 x4 通道,NVMe Revision 1.2.1,使「XG5」的連續(xù)讀取、寫入速度大幅提升至 3,000 MB/s 和 2,100 MB/s。這樣的連續(xù)讀取效能已是傳統(tǒng)6Gb/s SATA接口的5.4倍,連續(xù)寫入速度也快了3.8倍。

技術(shù)革新對(duì)于企業(yè)級(jí)SSD用戶之影響

以上提及的3D NAND Flash新技術(shù)讓單位成本下降;NVMe的應(yīng)用加大了帶寬的使用,將使過去因成本考慮而未使用SSD、或目前是以HDD和SSD互相搭配使用的用戶、增加升級(jí)現(xiàn)有硬設(shè)備之意愿。舉例來說,網(wǎng)絡(luò)交易次數(shù)頻繁的商家可藉由購(gòu)入SSD來加快服務(wù)器〈Server〉的數(shù)據(jù)處理速度以減少用戶的等待時(shí)間;或利用SSD較穩(wěn)定、耐用的特性來減少企業(yè)的總持有成本(TCO)。可以預(yù)見未來在企業(yè)應(yīng)用面上,SSD將逐漸分食HDD市場(chǎng)。

然而,市面上的企業(yè)級(jí)SSD、服務(wù)器操作系統(tǒng)、及硬設(shè)備種類可說是五花八門,使用者在面對(duì)以上各項(xiàng)主要對(duì)象相互搭配時(shí),SSD是否會(huì)發(fā)生效能降低、錯(cuò)誤率上升、或甚至無法驅(qū)動(dòng)等兼容性問題,是各大廠商都需面臨的挑戰(zhàn)。在各式Server平臺(tái)運(yùn)作時(shí)的應(yīng)用程序Workload表現(xiàn)也考驗(yàn)著這些新型的企業(yè)級(jí)NVMe SSD。以網(wǎng)絡(luò)交易平臺(tái)主要使用的Database Server為例,由于同一時(shí)間將有「多位使用者」在「同個(gè)交易平臺(tái)網(wǎng)站」上消費(fèi),事務(wù)數(shù)據(jù)是以隨機(jī)方式大量產(chǎn)生的高負(fù)載狀態(tài),NVMe SSD能否維持其快速的Random Read/Write IOPs,便是Database Server使用者相當(dāng)重視的效能。

此外,企業(yè)用Server對(duì)其選購(gòu)的SSD能否維持長(zhǎng)時(shí)間的穩(wěn)定運(yùn)作也相當(dāng)重視,一般來說,我們可以透過穩(wěn)定性測(cè)試〈Stability Test〉來了解SSD的穩(wěn)定性。在以下的測(cè)試案例中,我們對(duì)兩種相近規(guī)格〈A廠牌v.s. B廠牌〉的企業(yè)級(jí)NVMe SSD在相同的服務(wù)器與操作系統(tǒng)中,創(chuàng)造9種不同的數(shù)據(jù)負(fù)載量〈由高負(fù)載到低負(fù)載依序?yàn)?K 100/0 RW; 4K 100/0 RW; 0.5K 100/0 RW; 8K 65/35 RW; 4K 65/35 RW; 0.5K 65/35 RW; 8K 0/100 RW; 4K 0/100 RW; 0.5K 0/100 RW〉來了解A牌與B牌SSD在連續(xù)五次運(yùn)轉(zhuǎn)過程中的反應(yīng)延遲時(shí)間〈Latency〉。

 

A牌企業(yè)級(jí)NVMe SSD

 

B牌企業(yè)級(jí)NVMe SSD

從上表可以看出,A牌SSD在連續(xù)5次處理9種不同數(shù)據(jù)量的過程中,反應(yīng)延遲時(shí)間短且穩(wěn)定〈介于0.02-0.1毫秒間〉,圖形因而呈現(xiàn)著較為平穩(wěn)且無太大波動(dòng)的狀態(tài)。反觀B牌SSD不但平均反應(yīng)延遲時(shí)間較長(zhǎng)〈介于0.05-0.2毫秒間〉;同種數(shù)據(jù)負(fù)載量在不同回合所需要的反應(yīng)延遲時(shí)間差異也較大〈ex:觀察連續(xù)五回合的紫色十字狀定點(diǎn)聯(lián)機(jī)而成的曲線圖,在第一回合只需0.05毫秒的反應(yīng)延遲時(shí)間,卻在第二回合需要0.2毫秒〉,圖形因此有著較大的波動(dòng)。藉由上述的測(cè)試報(bào)告,企業(yè)級(jí)SSD制造商可更全面的了解其產(chǎn)品質(zhì)量在市場(chǎng)上的定位針對(duì)弱點(diǎn)加以改進(jìn)來增加市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。

事實(shí)上,3D NAND Flash技術(shù)與NVM-e的應(yīng)用除了將使企業(yè)用SSD需求大幅提升外,對(duì)消費(fèi)市場(chǎng)上的一般使用者亦影響深遠(yuǎn)。

 

SSD搶搭電競(jìng)熱潮,進(jìn)攻一般消費(fèi)市場(chǎng)

新世代玩家對(duì)于游戲感官刺激及內(nèi)容豐富度近乎苛求,造就了高規(guī)格電競(jìng)PC及其周邊升級(jí)零件市場(chǎng)的大幅度成長(zhǎng)。過去,玩家由于對(duì)SSD的價(jià)格、質(zhì)量與效能尚有疑慮,會(huì)選擇優(yōu)先升級(jí)核心零件如CPU、內(nèi)存,或顯示適配器等來提升其PC效能。然而對(duì)于配備已非同日而語的現(xiàn)代玩家來說,整體的游戲流暢度,除了游戲在執(zhí)行中是否會(huì)遞延〈lag〉外,另包括安裝、啟動(dòng)游戲、及過關(guān)加載其他場(chǎng)景的時(shí)間也漸受重視,而SSD在這些面向的數(shù)據(jù)處理速度上,是遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越傳統(tǒng)HDD的,消費(fèi)者也因此對(duì)SSD有越來越高的期待。

關(guān)于SSD以及HDD兩種硬盤在游戲執(zhí)行時(shí)的表現(xiàn),我們也透過以下測(cè)試結(jié)果來加以分析,測(cè)試的樣本分別為一HDD以及不同廠牌、規(guī)格之SSD來執(zhí)行,兩種硬盤皆安裝了最低需求容量40GB的熱門第一人稱射擊游戲Call of Duty: Ghosts來了解其在效能上的差異: 

由上表可知,基本安裝容量需求40GB的游戲在傳統(tǒng)SATA Gen3接口HDD〈藍(lán)色直方圖〉和四種不同廠牌之SATA Gen3 SDD(紅、綠、紫、灰色直方圖),在安裝時(shí)間上平均差了2倍以上(19分鐘v.s. 平均7分鐘);與最新NVMe Gen3 x 4 SSD(橘色直方圖)更相差將近10倍(19分鐘v.s. 2分半鐘),更遑論日后更高容量需求的游戲大作,高容量游戲在HDD硬件上執(zhí)行,必定會(huì)較SSD硬件的數(shù)據(jù)加載時(shí)間更長(zhǎng),進(jìn)而會(huì)影響到使用者體驗(yàn)。

看準(zhǔn)這股對(duì)于SSD需求的趨勢(shì),各大品牌也在今年的臺(tái)北國(guó)際計(jì)算機(jī)展中紛紛推出以最新技術(shù)3D NAND Flash打造的消費(fèi)型NVMe SSD。除了前述的Toshiba 64層3D TLC NVMe SSD「XG5」系列外,威剛科技也于會(huì)中展出多款專為職業(yè)玩家設(shè)計(jì)的「XPG」系列電競(jìng)用SSD。此外,創(chuàng)見信息更于今年加入卡位,推出最新的3D MLC NVMe SSD「MTE 850」,期望搶占電競(jìng)市場(chǎng)大餅。

然而,新型的NVMe消費(fèi)級(jí)SSD也將面對(duì)諸如兼容性或功耗表現(xiàn)等挑戰(zhàn)。由于市售來自各廠牌的PC系統(tǒng)、平板計(jì)算機(jī)、RAID、芯片組以及操作系統(tǒng)有近千種,制造商在產(chǎn)品上市前,應(yīng)透過嚴(yán)格的兼容性測(cè)試來確保其能在市場(chǎng)的多元產(chǎn)品組合下仍能發(fā)揮應(yīng)有的功能與效能。此外,NVMe SSD有自動(dòng)切換功耗狀態(tài)的功能,能使設(shè)備在不同工作需求下〈閑置/低度/中度/高度運(yùn)轉(zhuǎn)〉切換至不同的用電模式〈Power Status〉,除了可提升移動(dòng)設(shè)備〈筆電、平板計(jì)算機(jī)〉的續(xù)航能力,也為其電池帶來更長(zhǎng)的使用壽命,對(duì)市場(chǎng)上的一般消費(fèi)者來說,可謂尤其重要。但就像在兼容性上可能遇到的挑戰(zhàn)一樣,NVMe SSD的不同耗電模式也可能因?yàn)榕c系統(tǒng)不兼容而無法被準(zhǔn)確辨認(rèn)或驅(qū)動(dòng),因此,廠商應(yīng)透過完整的功耗測(cè)試,來避免日后可能發(fā)生的消費(fèi)糾紛。

結(jié)語

從今年臺(tái)北國(guó)際計(jì)算機(jī)展的觀察中可看出,3D NAND Flash技術(shù)與NVMe的應(yīng)用在不久的將來全面取代傳統(tǒng)2D NAND Flash、SATA Gen3接口后,SSD將以快速、穩(wěn)定、耐用、大容量等特性與日漸平民化的價(jià)格席卷企業(yè)級(jí)用戶市場(chǎng)。在消費(fèi)市場(chǎng)方面,全球電競(jìng)熱潮也正帶動(dòng)著SSD成為一般用戶必備的計(jì)算機(jī)周邊升級(jí)零件之一。未來,百佳泰還是會(huì)持續(xù)與SSDA各家廠商合作,用最專業(yè)的測(cè)試咨詢服務(wù)為您的產(chǎn)品把關(guān),增加市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力,與您一同迎接固態(tài)硬盤產(chǎn)品與技術(shù)的新時(shí)代。